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原位電化學(xué)干涉散射成像系統(tǒng)

? 獨(dú)特的干涉散射成像模式，反映離子化合物的形成、遷移和分布。 ? 可原位獲得樣品同一區(qū)域的干涉散射成像和拉曼光譜/mapping結(jié)果。 ? 極高的空間分辨率（300nm@720nm波長(zhǎng)）。 ? 自動(dòng)聚焦等自動(dòng)化操作和數(shù)據(jù)采集功能，確保光路的穩(wěn)定性，以及易用性。

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產(chǎn)品詳情

原位電化學(xué)干涉散射成像-共聚焦拉曼關(guān)聯(lián)系統(tǒng)
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高分辨、原位表征、獨(dú)特的離子遷移觀測(cè)解決方案

　　干涉散射成像，是基于顯微成像技術(shù)拓展而來的，具有高分辨和高對(duì)比度的成像技術(shù)。其利用激光寬場(chǎng)照明，獲得樣品對(duì)激光的散射信號(hào)，再通過干涉方式對(duì)樣品表面進(jìn)行成像。由于干涉信號(hào)對(duì)樣品表面的折射率變化異常敏感，因此能夠以極高的空間分辨率對(duì)電化學(xué)充放電過程中所引起的顆粒表面的細(xì)微變化進(jìn)行成像，并以高對(duì)比度反映充放電時(shí)離子化合物的形成、變化和遷移過程并分析其電化學(xué)機(jī)理。

　　該系統(tǒng)還結(jié)合了共聚焦顯微拉曼成像技術(shù)，能夠在樣品同一位置原位實(shí)現(xiàn)干涉散射成像與共聚焦拉曼光譜的表征，從而綜合表征充放電過程中材料的結(jié)構(gòu)、成分等性質(zhì)的變化，以及離子遷移的過程。

主要特點(diǎn)

　　• 獨(dú)特的干涉散射成像模式，反映離子化合物的形成、遷移和分布。

　　• 可原位獲得樣品同一區(qū)域的干涉散射成像和拉曼光譜/mapping結(jié)果。

　　• 極高的空間分辨率（300nm 720nm波長(zhǎng)）。

　　• 自動(dòng)聚焦等自動(dòng)化操作和數(shù)據(jù)采集功能，確保光路的穩(wěn)定性，以及易用性。

星元極光

應(yīng)用領(lǐng)域

　　• 電化學(xué)、電池材料

　　• 二維材料等微納米材料

星元極光

Specifications

光譜范圍	300-1050nm
拉曼光譜分辨率	<1cm-1 (532nm激發(fā)）
拉曼截止波數(shù)：	<100cm-1 (532nm激發(fā)）
干涉散射成像空間分辨率	300nm
樣品臺(tái)	X=50mm * Y=50mm，Z=20mm 步進(jìn)精度優(yōu)于 0.05μm，重復(fù)精度2μm
特色功能	自動(dòng)聚焦、原位干涉散射-拉曼光譜關(guān)聯(lián)成像